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IRF9204PbF
100000
10000
VGS = 0V,   f = 1 KHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
Ciss
14.0
12.0
10.0
ID= -37A
VDS= -32V
VDS= -20V
8.0
6.0
1000
100
Coss
Crss
4.0
2.0
0.0
1
10
100
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 7. Typical Capacitance Vs. Drain-to-Source Voltage Fig 8. Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source Voltage
1000
80
OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R DS(on)
70
Limited By Package
100
100 μ sec
1msec
10msec
60
50
10
LIMITED BY PACKAGE
DC
40
30
1
0.1
Tc = 25°C
Tj = 175°C
Single Pulse
20
10
0
0
1
10
100
25
50
75
100
125
150
175
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 9. Maximum Safe Operating Area
10
1
D = 0.50
0.20
T C , Case Temperature (°C)
Fig 10. Maximum Drain Current Vs. Case Temperature
0.1
0.01
0.10
0.05
0.02
0.01
0.001
0.0001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
4
www.irf.com
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